Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN
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Abstract
Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición.
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