Detector semiconductor para neutrones térmicos

Contenido principal del artículo

Angelina Díaz-García
Ana Ester Cabal-Rodríguez
O. Martínez-Muñoz

Resumen

Se describe la tecnología de fabricación de detectores de neutrones térmicos con base en detectores de Silicio de barrera superficial con convertidor de 6LiF, así como se realiza el análisis de sus parámetros fundamentales. La medición de la resolución energética e intensidad de conteo se realiza con una fuente de neutrones de Am-Be con salida de 6,6.106 neutrones/seg, de una energía máxima de 10 MeV y energía promedio de 4,9MeV. Los neutrones térmicos se obtuvieron por medio de la moderación en una capa de parafina de 4 cm de grosor.

Detalles del artículo

Cómo citar
Díaz-García, A., Cabal-Rodríguez, A. E., & Martínez-Muñoz, O. (2016). Detector semiconductor para neutrones térmicos. Revista Tecnología En Marcha, 13, Pág. 75–78. Recuperado a partir de https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2846
Sección
Artículo científico
Biografía del autor/a

Angelina Díaz-García

Centro de Estudios Aplicados al Desarrollo Nuclear (CEADEN), La Habana, Cuba.

Ana Ester Cabal-Rodríguez

Centro de Estudios Aplicados al Desarrollo Nuclear (CEADEN), La Habana, Cuba.

O. Martínez-Muñoz

Centro de Estudios Aplicados al Desarrollo Nuclear (CEADEN), La Habana, Cuba.