Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN

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Angelina Díaz-García
Ana Ester Cabal-Rodríguez
Eugenio Suárez-Caner

Resumen

Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición.

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Cómo citar
Díaz-García, A., Cabal-Rodríguez, A., & Suárez-Caner, E. (2016). Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN. Revista Tecnología En Marcha, 13, Pág. 121-126. Recuperado a partir de http://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855
Sección
Artículos
Biografía del autor/a

Angelina Díaz-García

Centro de Estudios Aplicados al Desarrollo Nuclear (CEADEN), La Habana, Cuba.

Ana Ester Cabal-Rodríguez

Centro de Estudios Aplicados al Desarrollo Nuclear (CEADEN), La Habana, Cuba.

Eugenio Suárez-Caner

Centro de Estudios Aplicados al Desarrollo Nuclear (CEADEN), La Habana, Cuba.

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